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BSC054N04NSGATMA1  与  BSZ105N04NS G  区别

型号 BSC054N04NSGATMA1 BSZ105N04NS G
唯样编号 A-BSC054N04NSGATMA1 A-BSZ105N04NS G
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 40V 17A/81A TDSON
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),57W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 10.5mΩ
上升时间 - 1.2ns
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2800pF @ 20V -
栅极电压Vgs - 20V
封装/外壳 8-PowerTDFN -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 34nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 11A
配置 - SingleQuadDrainTripleSource
长度 - 3.3mm
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 5.4 毫欧 @ 50A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
下降时间 - 2.6ns
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1300pF @ 20V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 14µA
高度 - 1.10mm
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 40V
Pd-功率耗散(Max) - 2.1W
典型关闭延迟时间 - 9.5ns
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 4V @ 27uA -
通道数量 - 1Channel
系列 - OptiMOS3
25°C时电流-连续漏极(Id) 17A(Ta),81A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 40V -
典型接通延迟时间 - 7ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 17nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSC054N04NSGATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC054N04NS G_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
BSZ105N04NS G Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSZ105N04NSGATMA1_-55°C~150°C(TJ) 40V 11A 10.5mΩ 20V 2.1W N-Channel

暂无价格 0 对比
BSZ165N04NS G Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSZ165N04NSGATMA1_40V 31A 13.8mΩ 20V 25W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比

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